讲座时间：2025年11月19日（周三）13:30-14:30
讲座地点：集成电路学院A116
嘉宾简介：
王俊勇，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员，博士生导师，中国科学院青年人才计划入选者，国家重点研发计划（青年项目）首席科学家。分别于2011年获南京航空航天大学学士学位，2014年获南京大学硕士学位，2018年获新加坡国立大学博士学位。主要从事二维半导体红外及量子光源器件研发。迄今在Nature Communications, Light, Advanced Materials, Nano Letters等国际学术期刊发表SCI论文50余篇，入选中国科学院“率先行动”引才计划（择优支持），江苏省“双创人才”等。
主要内容：
二维半导体具有原子层极限厚度、强激子效应与可调谐性能，有助于构筑低功耗、高集成度的新型片上光源器件。在这个报告中，我们基于窄带隙二维半导体在红外波段的吸收与发光特性，以其作为可饱和吸收体或发光介质，构筑新型光源器件。首先，我们利用二维半导体宽谱可饱和吸收特性，结合低面内对称性带来的各向异性非线性吸收，通过偏振控制实现了常规孤子和类噪声脉冲之间的脉冲激光状态主动控制。随后，我们生长了高质量窄带隙二维半导体黑磷及其合金薄膜，并将其作为发光介质材料开发器件：基于多层黑磷/黑砷磷开发出了宽波长覆盖（3.42 - 4.65 μm）的光泵浦中红外激光器件；基于少层黑磷开发出了近红外通讯波段（1500 nm附近）激子发光二极管器件，发光的激子类型和波长具有电场动态可调谐性。二维半导体的激子发光和范德华集成特性为智能化和小型化的新型片上光源提供了新的材料平台和契机。
