讲座时间：2026年4月15日（周三）13:30-14:30
讲座地点：集成电路学院A116
嘉宾简介：
叶建东，南京大学教授、博导。2002年和2006年于南京大学取得学士和博士学位。2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博导。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通讯作者近5年发表80余篇高水平论文，主/参编专著4本，授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、国家自然科学基金委重点项目、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等项目。入选国家级领军人才。第一完成人获江苏省科学技术奖二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。
主要内容：
氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和速度高等优异的材料特性，是研制下一代大功率电子器件的先进战略性电子材料。近年来，得益于单晶衬底制备和n型外延掺杂技术的日益成熟，氧化镓在功率电子器件领域的发展十分迅速，器件部分性能指标已超越碳化硅的理论极限，充分展现出氧化镓巨大的发展潜力。报告将介绍南京大学团队在氧化镓超宽禁带半导体材料与器件方面的研究进展，同时展望超宽禁带半导体领域的关键挑战。
