4月7日，香港城市大学博士后研究员杨再兴博士来理学院开展学术交流活动，并作了题为《一维半导体纳米材料的可控生长与光电性能探究》的学术报告。理学院桑田教授、高淑梅教授及刘诚教授等60余名师生参加了本次学术报告会，会议由光电系主任桑田教授主持。

根据摩尔定律，计算机的性能每两年左右翻一番。这从硬件上要求提高芯片上半导体材料的迁移率，或缩小半导体元器件的尺寸。当前，基于硅半导体的器件尺寸减小技术得到了充分发挥，但是其载流子迁移率很难得到提高，制约了计算机的发展。杨博士向我们展示了采用硫表面活性剂的方法，合成的锑化镓纳米线的空穴迁移率达到200cm2V-1s-1，其成果发表在著名国际期刊Nature Communications上。进一步，通过改变金薄膜催化剂的厚度，合成了不同直径分布的锑化镓纳米线，空穴迁移率可以达到锑化镓材料的理论极限，在制作高性能半导体器件中具有巨大潜力。杨博士详细地介绍了他在博士和博士后期间的相关成果，并对该领域的未来发展作了展望，使师生们获益良多。报告会后，杨博士和光电材料方向的教授以及研究生进行了交流，并耐心解答了光电系学生的提问。

杨博士是香港城市大学博士后研究员，主要从事一维半导体纳米材料的可控生长以及光电性能研究，研究兴趣包括III-V族P型GaSb纳米线的控制生长与电学性能研究以及II-VI族CdS基纳米带的光学研究。迄今为止发表SCI论文30篇，包括Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano, Nanoscle等一流期刊。受邀为Journal of Alloys and Compounds，Journal of Luminescence，Luminescence ：The Journal of Biological and Chemical Luminescence，Materials Research等多个SCI期刊审稿。