讲座时间：7月15日15:30
讲座地点：先进技术研究院A302室
针对人群：江南大学师生
讲座主题：氮化物宽禁带半导体的大失配异质外延和缺陷控制
讲座内容：III族氮化物宽禁带半导体在短波长光电子器件、功率电子器件和射频电子器件等领域具有重大应用价值。过去20年，由于具有柔性衬底思想的MOCVD两步生长方法的重大突破，基于蓝白光LED的半导体照明技术和基于GaN基HEMT的微波功率技术飞速发展，对国家的高技术产业发展和国防建设做出了重大贡献。近年来GaN基功率电子器件和紫外光电器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研究和产业化热点。高质量薄膜及其低维量子结构的外延生长是整个氮化物宽禁带半导体器件研制的基础和核心环节，迄今为止蓝宝石、SiC或Si衬底上的大失配异质外延依然是国际上氮化物半导体制备的主流方法，由此导致的高缺陷密度、强应变严重影响了材料光学、电学性质和器件性能的提升。本报告在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点：（1）蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂；（2）Si衬底上GaN及其异质结构的外延生长和缺陷/应力控制。其间重点介绍北京大学近年来在氮化物半导体大失配异质外延生长动力学及缺陷物理研究上取得的研究进展。
报告人简介：沈波，先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位， 并在东京大学从事博士后研究。现为北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十三五计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员、十四五计划 “新型显示和战略性先进电子材料” 重点专项第三代半导体方向专家组组长，并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长，享受国务院政府特殊津贴。
