4月30日下午，集成电路学院IC学术系列论坛——科技论坛第十一期＆十二期在A116报告厅顺利开展。此次讲座邀请了苏州大学光电科学与工程学院吴绍龙教授和王长擂教授担任主讲嘉宾，集成电路学院院长顾晓峰教授主持，学院教师和本硕学生共同参与聆听交流。

吴绍龙教授以《大面积硅微纳米线阵列的可控制备及其光电转换应用》为主题展开报告。他首先指出，晶硅已被广泛应用于各类半导体与光电子器件，但晶硅微纳结构的批量、大面积的可控制备仍存在较大的技术挑战，导致硅基微纳光电转换器件的性能及应用受到极大限制。其后，基于团队研究成果，他介绍了

金属辅助湿法腐蚀硅技术实现大面积（4英寸以上）、批量硅微纳米线的可控制备，团队利用紫外光刻与微球光刻技术，实现了直径1.5微米、长度近百微米的有序硅线阵列制备，并创新性开发出Si(111)基底上的弯曲硅线结构，这种高精度、低成本的制备工艺为硅线阵列的大规模应用奠定了基础。接着，他探讨这些硅基微纳结构异质结在光电传感葡萄糖、可见光探测及可见光通信等领域的应用可能与挑战，提出微型化、现场检测+无线通信和可见光通信+无线供能两种未来研究方向和应用潜力。

王长擂教授围绕《全钙钛矿叠层太阳能电池仿真与实验》主题，围绕“光伏多物理仿真实验”系统解析了全钙钛矿叠层电池的效率提升路径。研究团队构建光-电-热多物理场耦合模型，开发光电热多物理场耦合器件级仿真理论，对器件功能层光电学性质调控提供了理论指导。团队通过进一步发展调控叠层钙钛矿吸光材料结晶性质新策略，采用增加膜厚提升载流子寿命、调控薄膜电子无序度和发展新型限域退火技术等方法，解决了锡铅钙钛矿厚膜制备难题，结合无空穴传输层器件结构，获得超过7 μm的载流子扩散长度，同时借助卤素掺杂和择优取向调控抑制了宽窄带隙钙钛矿电池的离子迁移和相分离，大幅提升全钙钛矿叠层电池性能。

两位嘉宾的报告展示了其团队在光电材料与器件领域的前沿探索，为在场的师生开拓学术视野，启发进一步的研究灵感和思路。互动环节中，师生与嘉宾围绕主题积极探讨交流，现场学术氛围浓郁。

吴绍龙教授作主题报告

王长擂教授作主题报告

观众与嘉宾探讨交流