11月19日下午，由江南大学研究生院主办，集成电路学院承办的江南讲坛第一百五十七讲暨第十九期IC科技论坛在集成电路学院A116报告厅顺利召开。本次讲坛特邀中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员王俊勇担任主讲嘉宾，吸引了全校130余名师生踊跃参与，学院院长顾晓峰教授主持讲坛。
王俊勇以“二维半导体可调谐发光材料与器件”为报告主题，循着“物性探索—技术革新—应用赋能”的主线，系统阐述了该领域的发展脉络、核心挑战与前沿突破。他指出，半导体微纳光源器件是通信、显示等信息领域的核心支撑，而传统光源器件存在偏振固定、发光效率受限等瓶颈，二维半导体凭借室温下激子主导发光的独特物性，成为突破技术瓶颈的关键方向。
报告中，王俊勇重点分享了团队在三大核心研究方向的突破性进展。据悉，其团队研究了窄带隙二维材料的可控生长，将其作为研究基石，重点介绍了介质衬底黑磷生长及黑磷薄膜单晶生长，团队通过创新采用基于Au3SnP7中间体的外延成核技术，有效解决了材料生长过程中的晶体完整性与均一性问题，为后续器件研发提供了性能稳定的核心材料支撑。在二维窄带隙半导体作为可饱和吸收体的研究中，其团队主要针对脉冲激光器的性能进行优化，采用垂直生长的二维材料构建低阈值脉冲激光器，通过优化材料与光学系统的界面耦合效率提升器件性能，同时利用二维窄带隙半导体的各向异性非线性吸收特性，实现超快激光状态的主动控制，研发出模式切换脉冲激光器，满足不同场景对激光脉冲形态的多样化需求。团队还聚焦于二维窄带隙半导体作为活性材料的应用研究，以磷烯为核心研发通讯波段相关发光二极管，通过电场调控实现激子发光波长与带电激子极性的可控调节，并依托二维窄带隙半导体的激子增益机制，开发了中红外波长可调谐光泵浦激光器。团队还利用碲烯半导体的独特能带结构，设计了一种垂直的范德华异质结构，能够实现大量载流子的注入，成功研发了偏振可调中红外LED。
互动交流环节，与会师生围绕不稳定材料测试环境、光纤材料转贴、多层范德华异质器件电压施加、磷烯双激子辐射结果等问题展开热烈讨论。王俊勇结合团队研究成果与国际前沿案例，对师生提出的问题进行了详尽解答，并分享了该技术的应用前景。本次报告不仅为参会者带来了二维半导体发光领域的学术前沿动态，更在材料制备、器件设计等方面提供了宝贵思路，为相关领域的技术创新与产业升级注入新动能。
讲坛现场
王俊勇研究员担任主讲嘉宾
参会师生与嘉宾热烈讨论（一）
参会师生与嘉宾热烈讨论（二）
