7月9日下午，由江南大学研究生院主办、集成电路学院承办的江南讲坛第二百零五讲暨IC科技论坛第三十期在集成电路学院A116报告厅顺利举行。本次报告由集成电路学院院长顾晓峰教授主持，北京大学沈波教授应邀作题为“我国的第三代半导体技术和产业”的学术报告。
报告中，沈教授首先介绍了我国半导体产业的整体发展态势。目前，我国半导体照明产业规模稳居全球首位，新型显示、深紫外固态光源、激光显示等新兴技术方向发展势头迅猛。在射频电子领域，国产氮化镓器件已大规模应用于国防雷达、通信基站等关键场景，核心性能基本达到国际同步水平；功率电子领域依托新能源汽车、光伏储能等下游市场强劲拉动实现高速增长，同时在智能电网、航天电源等新兴应用场景中，产业价值持续释放。
沈教授同时指出，我国第三代半导体产业已构建起覆盖全链条、全环节的完整产业体系，但整体技术实力与国际顶尖水平仍存在明显差距，高端芯片、核心制备装备仍高度依赖进口，且产业层面的整体差距显著大于技术研发层面的差距。
随后，沈教授详细介绍了北京大学宽禁带半导体研究中心的长期科研积淀与核心成果。该中心是国内最早开展氮化镓基半导体研究的科研团队之一，先后攻克多项关键技术，成功研制出国内首只氮化镓基蓝光LED、首只氮化镓基电注入激光器、首只氮化镓基射频电子器件，实现了我国该领域的系列标志性技术突破。
近年来，团队在低位错密度氮化铝外延、硅基高质量氮化镓外延等核心方向取得多项原创性科研成果。团队创新提出新型图形衬底技术，有效大幅降低氮化铝外延层位错密度；成功制备大厚度、连续无裂纹的硅基氮化镓外延薄膜，其中硅基铝镓氮/氮化镓异质结构的二维电子气室温迁移率达到国际领先水准。同时，团队在位错芯结构演化、碳掺杂晶格占位等基础物理研究领域斩获重要进展，多项前沿科研成果已完成落地转化，实现产业化应用。
在互动交流环节，参会师生与来自新洁能、芯百特、吴越半导体等相关企业的代表们围绕国家射频及光电电子领域发展规划、氮化镓射频与功率器件核心技术、金刚石超宽禁带半导体核辐射探测技术、MicroLED光互联产业前景等热点问题展开深入热烈的研讨。针对现场提问，沈波教授结合团队自研成果与国际前沿技术案例，逐一作出详尽、专业的解答。
本次报告兼具产业宏观视野与前沿技术深度，系统梳理了我国第三代半导体产业的发展脉络、现有优势与现实瓶颈，同时分享了宽禁带半导体领域基础研究的创新思路与实践路径。报告不仅让参会师生精准把握行业前沿动态、拓宽科研视野，也为相关领域的核心技术攻关、产业高质量升级发展提供了重要的参考借鉴。
活动现场
沈波教授担任主讲嘉宾
参会人员与嘉宾探讨交流（一）
参会人员与嘉宾探讨交流（二）
参会人员与嘉宾探讨交流（三）
