集成电路学院第二十一期IC研究论坛举办

发布日期:2026-09-24  文:陈超帅  图:陈超帅  来源:集成电路学院

9月23日下午,集成电路学院第二十一期IC研究论坛在学院A320会议室举行。本次论坛邀请了集成电路工程专业研究生张杰和曾闻德同学进行学术分享,参会学生认真聆听并进行探讨交流。

张杰以《先进封装设计与仿真》为主题展开分享。他指出,随着 AI 与高性能计算发展,Chiplet 先进封装成为核心技术方向,CoWoS‑S/R‑L、TSV、RDL 等方案实现更高互连密度,支撑多芯粒异构集成。围绕先进封装设计与 SIPI 仿真,他详细介绍了 UCIe 开放芯粒互连标准、RDL 布线设计要点,详细解读了采用 VTF 指标评估通道损耗与串扰、完成信号眼图、PDN 电源完整性仿真、验证多金属层高速互连性能的实验过程。他认为,先进封装设计需要协同布局布线、电磁仿真、电源噪声分析,SI/PI 联合仿真能够提前发现高速互连隐患,保障多芯粒系统带宽与稳定性,为AI 硬件落地提供设计支撑。

曾闻德围绕《一款基于 LSB 位权校准的 12 位 2.5 MS/s 冗余 SAR ADC》主题进行交流。他从SAR ADC的技术特点与应用背景出发,分析了电容失配对ADC静态线性度和动态性能的影响,并对现有的校准方法进行了简要介绍。在此基础上,他重点解析了基于LSB的前台位权校准方法:利用低位电容建立参考集合,自底向上逐步提取高位电容的实际位权,同时引入三位零均值抖动,扩大重复测量的码值范围,并结合64次重复测量与平均处理,提高权重提取精度。此外,他强调该方法复用已有的SAR搜索环路完成校准,无需额外的辅助校准ADC或DAC。结合仿真结果与性能对比,其研究验证了该方法能够有效改善ADC的静态线性度和动态性能,为高分辨率SAR ADC的电容失配校准提供了一种可行的实现方案。

张杰分享

曾闻德分享

活动现场

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编辑:缪慧玲

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