3月12日下午，集成电路学院IC学术系列论坛——研究论坛第四期活动在学院A116报告厅举行。本次论坛邀请了2022级集成电路工程专业研究生刘澎博和王利强进行学术分享，学院130余名研本学生参会学习并展开交流。
刘澎博以《高频GaNHEMT器件研究》为报告主题，详细介绍了通过提高器件的频率特性方式制作出高频GaN HEMT器件的研究思路。他指出，在毫米波器件制造领域，浮空T型栅工艺因其对器件高频性能有着显著提升从而成为关键技术，通过对光刻胶、栅脚-栅帽临近效应距离、光刻显影、栅机关键工艺等方面进行优化来提升浮空T型栅的成型精度和成品率，在此基础上制作出高频GaN基HEMT器件。
王利强以《基于AlGaN/GaN HEMT高性能pH传感器研究》为主题展开，深入讲解了栅极凹槽、W/L、氮化硅敏感膜、Au敏感膜、漏源电压VDS对AlGaN/GaN HEMT pH传感器性能影响的研究思路、实验过程和数据结果。本次讲座为同学们拓展了关于GaN基器件的专业知识，现场观众纷纷表示收获满满。
刘澎博分享
王利强分享
讲座现场
