10月14日下午，集成电路学院第二十二期IC研究论坛在学院A306会议室举行。本次论坛邀请了集成电路工程专业研究生张浩翔和曾子豪同学进行学术分享，参会研究生认真聆听并进行探讨交流。
张浩翔围绕《面向提升电荷保持特性的Gr/h-BN/MoS₂浮栅存储器退火工艺优化》主题展开分享。他指出，二维异质结浮栅存储器凭借超薄结构和优异的电学特性，在新型非易失性存储器领域具有广阔的应用前景。但二维材料转移过程中引入的高分子残留及水氧杂质容易形成界面缺陷与电荷陷阱，诱发陷阱辅助隧穿效应，影响器件的电荷保持能力与工作稳定性。针对这个学术难点，他详细介绍了基于真空退火的界面优化方法。其研究通过设置未退火、仅石墨烯退火、快速逐层退火及慢速逐层退火四组对照实验，结合扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱及电学性能测试，系统分析不同退火工艺对器件存储特性的影响。实验结果表明，未退火器件受界面缺陷影响，容易产生非本征的伪存储窗口；慢速逐层退火工艺能够有效清除界面污染物，减少缺陷陷阱，同时降低热应力对材料晶格的损伤。优化后的器件表现出明显的本征存储窗口，在1000秒电荷保持测试后，开关比仍维持在10⁵以上，电荷保持性能显著提升。该研究表明，界面工程是提升二维异质结存储器性能与可靠性的重要途径，这为新型非易失性存储器的设计与应用提供了深入研究的思路。
曾子豪以《基于激光诱导多方向相变阵列空间编码的BP/MoTe₂异质结偏振光探测器》为主题进行交流。他首先结合偏振光探测技术的发展现状与应用需求，指出传统偏振探测系统存在依赖机械旋转结构、系统复杂、检测速度受限及难以片上集成等问题。针对以上技术难点，他详细介绍了基于激光诱导多方向相变阵列的空间编码偏振光探测方法和BP/2H-MoTe₂范德华异质结的制备过程。该研究采用机械剥离与干法转移技术构建异质结，通过532nm激光局域处理，诱导2H-MoTe₂向高电导率1T′相转变，在同一器件中形成0°、30°、60°、90°、120°和150°六个不同方向的相变编码单元，实现偏振信息的空间编码。实验结果表明，该器件拉曼偏振比达到3.05，在532nm脉冲激光照射下，光响应上升和下降时间分别为85.4μs和61.3μs，并可在460～1064nm波段实现自驱动宽光谱响应，器件通过扫描入射光斑获取不同编码单元的响应信息，能实现无需机械旋转结构的偏振方向识别。他指出，该研究将二维材料相变调控与空间编码技术相结合，为推动偏振光探测器向小型化、集成化与高速化发展提供了新的技术路径。
活动现场
张浩翔分享
曾子豪分享
