10月21日下午，集成电路学院第三十二期IC科技论坛在学院A116报告厅顺利举办。本次论坛邀请南京大学于葛亮教授担任主讲嘉宾，学院师生参与本次学术交流活动。学院院长顾晓峰教授主持论坛。
于葛亮教授紧扣“器件制备—品质提升—能带调控—物态探索”的核心主线，系统阐述了超高品质二维电子体系的技术演进、石墨烯体系的独特物性、关键科学挑战与未来发展方向，为在场师生带来了一场前沿性和专业性兼具的学术报告。
报告中，于教授结合团队在二维材料量子器件与量子输运领域的研究成果，围绕高质量范德华异质结构制备与界面调控技术，从两大维度展开深入讲解：一是高质量范德华异质结构制备技术，要使材料能实现千万级别的电子迁移率，首先在器件制备时，通过搭建超净环境来杜绝器件制备时的外部散射以及用高精度干法转移系统，同步发展石墨烯电极、隧穿电极等低损耗电极方案，制备出高质量的器件；二是界面能带调控技术，通过层间扭角调控构建石墨烯/六方氮化硼范德华超晶格，利用周期性势场形成新的能谱，同时通过堆叠序调控构筑ABC石墨烯体系，探索维度演化带来的全新量子物态。
面向我国低维量子材料与量子器件的战略发展需求，于教授的报告重点展示了团队的突破性成果：依托极致的异质结制备工艺实现石墨烯器件品质的量级跃升，首次在2mT的极低磁场下观测到整数量子霍尔效应，刷新了石墨烯迁移率以及量子霍尔效应最低磁场的世界纪录；在石墨烯/六方氮化硼超晶格中实现超晶格周期的连续可调，观测到清晰的超晶格狄拉克峰与能带重构特征；在ABC石墨烯体系中发现变维反常霍尔效应，打破二维/三维固有维度框架，建立了维度几何与轨道磁有序的定量关联，指数级提升电子传输效率，开创了变维量子器件发展。
本次报告帮助师生全面掌握超高品质二维材料的制备前沿、量子输运物理机制与新奇物态研究进展，在二维材料工艺优化、能带工程、量子器件设计等方向提供了清晰的科研思路，也为学院低维电子材料、量子器件等方向的研究工作提供了重要参考。
互动交流环节，师生围绕石墨烯层和氮化硼层的辨别、电极转移方法以及扭转角角度控制范围及方法等问题踊跃提问。于教授结合前沿研究与技术积累逐一细致解答，现场学术氛围浓厚，有效拓宽了师生的科研视野与创新思路，进一步推动了院校间在二维量子材料领域的学术交流与合作。
于葛亮教授主讲
现场交流（一）
现场交流（二）
现场交流（三）
